Anlage für GaAs-Synthese

  • Betriebsdruck 100 bar, Betriebstemperatur 1350 °C,
  • Schnellverschluss und selbstwirkende Dichtung für Haube und Boden,
  • Eine Weiterentwicklung für extreme Kühlleistung liegt vor, Einführung der Mehrlagenbauweise,
  • US-Prüfung für Drei-Blech-Nähte in CrNi-Stahl, einschließlich Reinigungs-und Handlingseinrichtungen,
  • mechanische Ausfahrvorrichtung für die gezüchteten Kristalle,
  • Hierfür liegen mehrere Referenzen liegen vor